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2SJ280(L)

更新时间： 2024-02-05 21:58:23

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其他 - ETC		晶体晶体管开关脉冲
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9页	50K
描述
TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 30A I(D) \| TO-262AA

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2SJ280(L) 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.28	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	30 A
最大漏源导通电阻：	0.06 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	120 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SJ280(L) 数据手册

2SJ280(L), 2SJ280(S)

Drain-Source Saturation Voltage

vs. Gate-Source Voltage

–2.0

–1.6

–1.2

–0.8

–0.4

Pulse Test

I_D= –30 A

–20 A

–10 A

–2

–4

–6

–8

–10

Gate to Source Voltage V_GS(V)

Static Drain-Source on State

Resistance vs. Drain Current

0.5

0.2

0.1

V_GS= –4 V

–10 V

0.05

0.02

0.01

0.005

–2

–5 –10 –20

–50 –100 –200

Drain Current I_D(A)

Static Drain-Source on State

Resistance vs. Temperature

0.1

0.08

0.06

0.04

0.02

Pulse test

I_D= –30 A

V_GS= –4 V

–10 A, –20 A

I_D= –30 A

–10 V

–10 A, –20 A

–40

120

160

Case Temperature T_C(°C)

1 2 3 456 7 8 9

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与2SJ280(L)相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ280(S)	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 30A I(D) \| TO-263AB	获取价格
2SJ280(S)TL	HITACHI	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta	获取价格
2SJ280(S)TR	HITACHI	暂无描述	获取价格
2SJ280L	HITACHI	SILICON P-CHANNEL MOS FET	获取价格
2SJ280L-E	RENESAS	Pch Single Power MOSFET -60V -30A 43mohm LDPAK(L)	获取价格
2SJ280S	HITACHI	SILICON P-CHANNEL MOS FET	获取价格