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2SJ286(CM)TB

更新时间： 2024-02-05 05:40:52

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	99K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.15A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236

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2SJ286(CM)TB 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.84
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	0.15 A	最大漏源导通电阻：	7.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-236
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	DEPLETION MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SJ286(CM)TB 数据手册

1

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与2SJ286(CM)TB相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ287	SANYO	Very High-Speed Switching Applications	获取价格
2SJ287	KEXIN	P-Channel MOS Silicon FET	获取价格
2SJ288	KEXIN	P-Channel MOS Silicon FET	获取价格
2SJ288	SANYO	Very High-Speed Switching Applications	获取价格
2SJ289	ETC		获取价格
2SJ290	HITACHI	SILICON P-CHANNEL MOS FET	获取价格

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