生命周期: | Obsolete | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.84 |
Is Samacsys: | N | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE | 最小漏源击穿电压: | 60 V |
最大漏极电流 (ID): | 0.5 A | 最大漏源导通电阻: | 1.2 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-243 |
JESD-30 代码: | R-PSSO-F3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | DEPLETION MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
功耗环境最大值: | 3.5 W | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子形式: | FLAT |
端子位置: | SINGLE | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2SJ289 | ETC |
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2SJ290 | HITACHI | SILICON P-CHANNEL MOS FET |
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2SJ291 | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-220AB |
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2SJ292 | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220AB |
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2SJ292-E | RENESAS | Pch Single Power MOSFET -60V -30A 43mohm TO-220AB |
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2SJ293 | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-220FN |
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