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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.15 A |
| 最大漏源导通电阻： | 7.5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-236 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SJ286(CM)TB | ONSEMI | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.15A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| 2SJ287 | SANYO | Very High-Speed Switching Applications |
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| 2SJ287 | KEXIN | P-Channel MOS Silicon FET |
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| 2SJ288 | KEXIN | P-Channel MOS Silicon FET |
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| 2SJ288 | SANYO | Very High-Speed Switching Applications |
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| 2SJ289 | ETC |
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