Datasheet > 2SJ280(L)

2SJ280(L)

更新时间： 2024-01-14 09:15:37

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
9页	50K
描述
TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 30A I(D) \| TO-262AA

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SJ280(L) 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.28	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	30 A
最大漏源导通电阻：	0.06 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	120 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SJ280(L) 数据手册

2SJ280(L), 2SJ280(S)

Forward Transfer Admittance

vs. Drain Current

100

Pulse Test

V_DS= –10 V

Tc = 25°C

–25°C

75°C

–0.5 –1

–2

–5 –10 –20

–50

Drain Current I_D(A)

Body-Drain Diode Reverse

Recovery Time

500

200

100

di/dt = 50 A/ µs, V_GS= 0

Ta = 25°C

–1 –2

–5 –10 –20

–50 –100

Reverse Drain Current I_DR(A)

Typical Capacitance

vs. Drain-Source Voltage

10000

1000

Ciss

Coss

Crss

100

V_GS= 0,

f = 1 MHz

–10

–20

–30

–40

–50

Drain to Source Voltage V_DS(V)

1...3 4 567 8 9

下载PDF

与2SJ280(L)相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ280(S)	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 30A I(D) \| TO-263AB	获取价格
2SJ280(S)TL	HITACHI	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta	获取价格
2SJ280(S)TR	HITACHI	暂无描述	获取价格
2SJ280L	HITACHI	SILICON P-CHANNEL MOS FET	获取价格
2SJ280L-E	RENESAS	Pch Single Power MOSFET -60V -30A 43mohm LDPAK(L)	获取价格
2SJ280S	HITACHI	SILICON P-CHANNEL MOS FET	获取价格