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2SJ280(S)

更新时间: 2024-02-28 23:26:22
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其他 - ETC 晶体晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
9页 50K
描述
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-263AB

2SJ280(S) 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数:3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.28Is Samacsys:N
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:60 V最大漏极电流 (ID):30 A
最大漏源导通电阻:0.06 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSSO-G2元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):120 A认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SJ280(S) 数据手册

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2SJ280(L), 2SJ280(S)  
Silicon P-Channel MOS FET  
November 1996  
Application  
High speed power switching  
Features  
Low on-resistance  
High speed switching  
Low drive current  
4 V gate drive device can be driven from 5 V source  
Suitable for switching regulator, DC-DC converter  
Avalanche ratings  
Outline  
LDPAK  
4
4
1
2
3
1
2
3
D
G
1. Gate  
2. Drain  
3. Source  
4. Drain  
S

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