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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.25 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 1 A | 最大漏源导通电阻： | 1.2 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 |
| JESD-609代码： | e6 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 1 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Bismuth (Sn/Bi) |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SJ278MY | RENESAS |
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暂无描述 |
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| 2SJ278MYTL | HITACHI |
获取价格 |
1A, 60V, 1.2ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| 2SJ278MYTL-E | RENESAS |
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Silicon P Channel MOS FET |
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| 2SJ278MYTR | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 60V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal- |
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| 2SJ278MYTR | RENESAS |
获取价格 |
1A, 60V, 1.2ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| 2SJ278MYTR-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon P Channel MOS FET |
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| 2SJ278MYUL | HITACHI |
获取价格 |
1A, 60V, 1.2ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| 2SJ278MYUR | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 60V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal- |
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| 2SJ278MYUR | RENESAS |
获取价格 |
1A, 60V, 1.2ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| 2SJ278TR | HITACHI |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o |
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