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| 生命周期： | Not Recommended | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.3 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 5 A | 最大漏极电流 (ID)： | 5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.27 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 20 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 20 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SJ279(S) | HITACHI | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.27ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SJ279(S)TL | HITACHI | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.27ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SJ279(S)TR | HITACHI | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.27ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SJ280 | HITACHI | SILICON P-CHANNEL MOS FET |
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| 2SJ280(L) | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-262AA |
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| 2SJ280(S) | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-263AB |
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