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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 250 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.4 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 20 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD860P | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-220AB |
|
| 2SD860Q | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-220AB |
|
| 2SD860R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-220AB |
|
| 2SD862 | Wing Shing |
获取价格 |
Silicon Epitaxial Planar Transistor(GENERAL DESCRIPTION) |
|
| 2SD863 | SANYO |
获取价格 |
Voltage Regulator, Relay Lamp Driver Electrical Equipment Applications |
|
| 2SD863 | SWST |
获取价格 |
功率三极管 |
|
| 2SD863D | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92VAR |
|
| 2SD863E | ONSEMI |
获取价格 |
1000mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MP, 3 PIN |
|
| 2SD863F | ONSEMI |
获取价格 |
TRANSISTOR 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MP, 3 PIN, BIP General Purpose |
|
| 2SD863-F | ONSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, MP, 3 PIN |
|
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