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2SD863E PDF预览

2SD863E

更新时间： 2024-11-01 20:28:39
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 37K
描述
1000mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MP, 3 PIN

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2SD863E 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：End Of Life
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.33
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：100
JESD-30 代码：O-PBCY-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：Tin/Copper/Silver/Nickel (Sn/Cu/Ag/Ni)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：150 MHzBase Number Matches：1

2SD863E 数据手册

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Ordering number:ENN575D  
PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors  
2SB764/2SD863  
Voltage Regulator, Relay Lamp Driver  
Electrical Equipment Applications  
Package Dimensions  
unit:mm  
2006B  
[2SB764/2SD863]  
6.0  
4.7  
5.0  
0.5  
0.6  
0.5  
0.5  
1 : Emitter  
2 : Collector  
3 : Base  
2
3
1
( ) : 2SB764  
SANYO : MP  
1.45  
1.45  
Specifications  
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25˚C  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
V
Collector-to-Base Voltage  
V
(–)60  
(–)50  
CBO  
Collector-to-Emitter Voltage  
Emitter-to-Base Voltage  
Collector Current  
V
V
CEO  
V
(–)5  
V
EBO  
I
(–)1  
A
C
Collector Current (Pulse)  
Collector Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
I
(–)2  
A
CP  
P
C
0.9  
W
˚C  
˚C  
Tj  
150  
Tstg  
–55 to +150  
Electrical Characteristics at Ta = 25˚C  
Ratings  
typ  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
min  
max  
(–)1  
Collector Cutoff Current  
I
V
V
V
V
V
=(–)50V, I =0  
µA  
µA  
CBO  
CB  
EB  
CE  
CE  
CE  
E
Emitter Cutoff Current  
DC Current Gain  
I
=(–)4V, I =0  
(–)1  
EBO  
C
h
1
=(–)2V, I =(–)50mA  
60*  
30  
320*  
FE  
FE  
C
h
2
=(–)2V, I =(–)1A  
C
Gain-Bandwidth Product  
Output Capacitance  
f
=(–)10V, I =(–)50mA  
150  
(20)  
12  
MHz  
pF  
T
C
C
V
=(–)10V, f=1MHz  
ob  
CB  
pF  
Continued on next page.  
Any and all SANYO products described or contained herein do not have specifications that can handle  
applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft’s  
control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in serious  
physical and/or material damage. Consult with your SANYO representative nearest you before using  
any SANYO products described or contained herein in such applications.  
SANYO assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that  
exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges,or other  
parameters) listed in products specifications of any and all SANYO products described or contained  
herein.  
SANYO Electric Co.,Ltd. Sem iconductor Com pany  
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN  
90503TN (KT)/91098HA (KT)/4107KI/3085MW, TS No.575–1/4  
1234

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与2SD863E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD863F ONSEMI

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 		TRANSISTOR 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MP, 3 PIN, BIP General Purpose
2SD863-F ONSEMI

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, MP, 3 PIN
2SD864 ISC

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 		Silicon NPN Darlington Power Transistor
2SD864(K) RENESAS

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 		POWER TRANSISTOR, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN
2SD864K ETC

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2SD866 SAVANTIC

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 		Silicon NPN Power Transistors
2SD866 WINNERJOIN

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 		TRANSISTOR (NPN)
2SD866 PANASONIC

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