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2SD867O

更新时间: 2024-02-11 08:05:03
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 102K
描述
TRANSISTOR 10 A, 110 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power

2SD867O 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.84外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):10 A集电极-发射极最大电压:110 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):50
JESD-30 代码:O-MBFM-P2元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:PIN/PEG
端子位置:BOTTOM晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):3 MHz
Base Number Matches:1

2SD867O 数据手册

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