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2SD874A

更新时间： 2024-02-04 13:44:56

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金誉半导体 - HTSEMI		晶体晶体管
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2页	572K
描述
TRANSISTOR (NPN)

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2SD874A 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.82
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	25 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	50	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz

2SD874A 数据手册

2SD874A

TRANSISTOR (NPN)

FEATURES

SOT-89

1. ^BASE

Large collector power dissipation P_C

Low collector-emitter saturation voltage V_CE(sat)

Complementary to 2SB766A

2. ^COLLECTOR

3. ^EMITTER

MAXIMUM RATINGS (T_A=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Value

Units

Collector Current -Continuous

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

P_C

0.5

℃

T_J

150

-55-150

T_stg

Storage Temperature

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test

conditions

MIN

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

V_(BR)CBOI_C=10μA,I_E=0

V_(BR)CEOI_C=2mA,I_B=0

V_(BR)EBOI_E=10μA,I_C=0

I_CBO

I_EBO

V_CB=20V,I_E=0

0.1

μA

Emitter cut-off current

V_EB=4V,I_C=0

h_FE(1)

h_FE(2)

V_CE(sat)

V_BE(sat)

f_T

V_CE=10V,I_C=500mA

V_CE=5V,I_C=1A

340

DC current gain

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

I_C=500mA,I_B=50mA

V_CE=10V,I_C=50mA,f=200MHz

V_CB=10V,I_E=0,f=1MHz

0.4

1.2

200

MHz

Collector output capacitance

C_ob

CLASSIFICATION OF h_FE(1)

Rank

Range

85-170

120-240

170-340

Marking

JinYu

semiconductor

www.htsemi.com

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