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2SD874_15

更新时间： 2024-09-25 01:25:15

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描述
NPN TRANSISTOR

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2SD874_15 数据手册

RoHS

2SD874

SOT-89

1. ^BASE

2SD874 TRANSISTOR (NPN)

FEATURES

Power dissipation

2. ^COLLECTOR

3. ^EMITTER

P_CM:

500

mW (Tamb=25℃)

Collector current

I_CM:

Collector-base voltage

V_(BR)CBO

Operating and storage junction temperature range

T_J, T_stg: -55℃ to +150℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Test conditions

Ic=10µA, I_E=0

Ic=2mA, I_B=0

MIN

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_E=10µA, I_C=0

µA

V_CB=20V, I_E=0

0.1

340

I_EBO

Emitter cut-off current

V_EB=4V, I_C=0

h_FE(1)

V_CE=10V, I_C=500mA

DC current gain

h_FE(2)

V_CE=5V, I_C=1A

V_CE(sat)

V_BE(sat)

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

I_C=500mA, I_B=50mA

0.4

1.2

MHz

f_T

V_CE=10V, I_C=50mA, f=200MHz

200

C_ob

Collector output capacitance

V_CB=10V, I_E=0, f=1MHz

CLASSIFICATION OF h_FE(1)

Rank

WEJ ELECTRONIC CO.,LTD

Range

85-170

120-240

170-340

Marking

Http:// www.wej.cn

E-mail:wej@yongerjia.com

WEJ ELECTRONIC CO.

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