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2SD874A

更新时间: 2024-02-13 15:12:01
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科信 - KEXIN /
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2页 1232K
描述
NPN Transistors

2SD874A 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75风险等级:5.46
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):1 A
集电极-发射极最大电压:50 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):50JESD-30 代码:R-PSSO-F3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):1 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:FLAT端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):200 MHz
Base Number Matches:1

2SD874A 数据手册

 浏览型号2SD874A的Datasheet PDF文件第2页 
SMD Type  
Transistors  
NPN Transistors  
2SD874A  
Features  
1.70 0.1  
Large collector power dissipation P  
C
Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat)  
Complimentary to 2SB766A  
0.42 0.1  
0.46 0.1  
1.Base  
2.Collector  
3.Emitter  
Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃  
Parameter  
Collector - Base Voltage  
Collector - Emitter Voltage  
Emitter - Base Voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
60  
V
50  
5
1
Collector Current - Continuous  
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
I
C
A
P
C
500  
mW  
T
J
150  
Storage Temperature Range  
T
stg  
-55 to 150  
Electrical Characteristics Ta = 25℃  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Ic= 100 μAI = 0  
Ic= 2 mAI = 0  
= 100μAI  
Min  
60  
50  
5
Typ  
Max  
Unit  
V
Collector- base breakdown voltage  
Collector- emitter breakdown voltage  
Emitter - base breakdown voltage  
Collector-base cut-off current  
Emitter cut-off current  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
E
B
I
E
C
= 0  
I
CBO  
EBO  
V
V
CB= 50 V , I  
EB= 4V , I  
E
= 0  
100  
100  
0.4  
nA  
V
I
C
=0  
Collector-emitter saturation voltage  
Base - emitter saturation voltage  
V
CE(sat)  
BE(sat)  
I
I
C
=500 mA, I  
B
=50mA  
=50mA  
V
C=500 mA, I  
B
1.2  
h
FE(1)  
FE(2)  
V
V
V
V
CE= 10V, I  
CE= 5V, I = 1A  
= 0,f=1MHz  
= 50mA,f=200MHz  
C
= 500mA  
85  
50  
340  
DC current gain  
h
C
Collector output capacitance  
Transition frequency  
C
ob  
CB= 10V, I  
CE= 10V, I  
E
20  
pF  
f
T
C
200  
MHz  
Classification of hfe(1)  
Type  
Range  
Marking  
2SD874A-Q  
85-170  
YQ  
2SD874A-R  
120-240  
YR  
2SD874A-S  
170-340  
YS  
1
www.kexin.com.cn  

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