Datasheet > 2SD869

2SD869

更新时间： 2024-02-20 08:51:48

品牌	Logo	应用领域
永盛 - Wing Shing		晶体晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
1页	193K
描述
Silicon Diffused Power Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SD869 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.41	最大集电极电流 (IC)：	3.5 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	8	JEDEC-95代码：	TO-3
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	3 MHz
Base Number Matches：	1

2SD869 数据手册

Silicon Diffused Power Transistor

2SD869

GENERAL DESCRIPTION

Highvoltage,high-speed switching npn transistors in a

plastic envelope with integrated efficiency diode,prim-

arily for use in horizontal deflection circuites of colour

television receivers

TO-3

QUICK REFERENCE DATA

SYMBOL

V_CESM

V_CEO

I_C

I_CM

P_tot

V_CEsat

I_csat

V_F

PARAMETER

CONDITIONS

TYP

MAX

1500

600

3.5

7.0

UNIT

Collector-emitter voltage peak value

Collector-emitter voltage (open base)

Collector current (DC)

V_BE= 0V

Collector current peak value

Total power dissipation

Collector-emitter saturation voltage

Collector saturation current

Diode forward voltage

T_mb25

I_C= 3.0A; I_B= 0.8A

f = 16KHz

I_F= 3.5A

1.6

2.0

1.0

Fall time

I_Csat= 3.0A; f = 16KHz

t_f

LIMITING VALUES

SYMBOL

V_CESM

V_CEO

I_C

I_CM

I_B

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

MAX

1500

600

3.5

UNIT

Collector-emitter voltage peak value

Collector-emitter voltage (open base)

Collector current (DC)

V_BE= 0V

Collector current peak value

Base current (DC)

7.0

Base current peak value

Total power dissipation

Storage temperature

I_BM

P_tot

T_stg

T_j

Tmb 25

-55

150

Junction temperature

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

TYP

MAX

1.0

UNIT

Collector cut-off current

V_BE= 0V; V_CE= V_CESMmax

T_j= 125

I_CE

I_CES

2.5

Collector-emitter sustaining voltage

I_B= 0A; I_C= 100mA

L = 25mH

V_CEOsust

Collector-emitter saturation voltages

Base-emitter satuation voltage

DC current gain

I_C= 3.0A; I_B= 0.8A

I_C= 100mA; V_CE= 5V

I_F= 3.5A

V_CEsat

V_BEsat

h_FE

V_F

f_T

C_c

1.5

Diode forward voltage

1.6

2.0

MHz

Transition frequency at f = 5MHz

Collector capacitance at f = 1MHz

Switching times(16KHz line deflecton circuit)

Turn-off storage time Turn-off fall time

I_C= 0.1A; V_CE= 10V

V_CB= 10V

I_C=3A,I_B(end)=0.8A,V_CC=108V

t_s

t_f

0.7

1.0

Wing Shing Computer Components Co., (H.K.)Ltd.

Homepage: http://www.wingshing.com

Tel:(852)2341 9276 Fax:(852)2797 8153

E-mail: wsccltd@hkstar.com

中文翻译

下载PDF

与2SD869相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD870	MOSPEC	获取价格	POWER TRANSISTORS(5A,1500V,50W)
2SD870	Wing Shing	获取价格	SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR(GENERAL DESCRIPTION)
2SD870	SAVANTIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SD870	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SD871	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SD871	SAVANTIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SD871	MOSPEC	获取价格	POWER TRANSISTORS(6A,1500V,50W)
2SD873	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistor
2SD874	TYSEMI	获取价格	Large collector power dissipation PC. Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat).
2SD874	WINNERJOIN	获取价格	TRANSISTOR (NPN)

与2SD869相关文章

LTM4644/LTM4644-1：创新的四输出同步降压微模块调节器
2024-07-02

2
2N3500：一款多用途NPN硅晶体管的全面解析
2024-07-02

3
最详细资料解析：BA5917AFP参数说明、引脚说明
2024-07-02

5
MAX232IDR数据手册：产品特性、电气参数、替代型号推荐
2024-07-02

3

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SD869

2SD869 技术参数

2SD869 数据手册

与2SD869相关器件

与2SD869相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SD869

2SD869 技术参数

2SD869 数据手册

与2SD869相关器件

与2SD869相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？