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2SD874A

更新时间： 2024-09-25 14:55:27

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鲁光 - LGE		双极型晶体管
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2页	742K
描述
双极型晶体管

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2SD874A 技术参数

极性：	NPN	Collector-emitter breakdown voltage：	50
Collector Current - Continuous：	1	DC current gain - Min：	85
DC current gain - Max：	340	Transition frequency：	200
Package：	SOT-89	Storage Temperature Range：	-55-150
class：	Transistors

2SD874A 数据手册

2SD874A

SOT-89 Transistor(NPN)

1. ^BASE

SOT-89

2. ^COLLECTOR

3. ^EMITTER

4.6

4.4

1.6

1.4

1.8

1.4

2.6

4.25

2.4

3.75

Features

0.8

MIN

0.53

Large collector power dissipation P_C

0.40

0.48

2x)

0.35

1.5

0.44

0.37

0.13

Low collector-emitter saturation voltage V_CE(sat)

Complementary to 2SB766A

3.0

Dimensions in inches and (millimeters)

MAXIMUM RATINGS (T_A=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Value

Units

Collector Current -Continuous

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

P_C

0.5

℃

T_J

150

-55-150

T_stg

Storage Temperature

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test

conditions

MIN

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

V_(BR)CBOI_C=10μA,I_E=0

V_(BR)CEOI_C=2mA,I_B=0

V_(BR)EBOI_E=10μA,I_C=0

I_CBO

I_EBO

V_CB=20V,I_E=0

0.1

μA

Emitter cut-off current

V_EB=4V,I_C=0

h_FE(1)

h_FE(2)

V_CE(sat)

V_BE(sat)

f_T

V_CE=10V,I_C=500mA

V_CE=5V,I_C=1A

340

DC current gain

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

I_C=500mA,I_B=50mA

V_CE=10V,I_C=50mA,f=200MHz

V_CB=10V,I_E=0,f=1MHz

0.4

1.2

200

MHz

Collector output capacitance

C_ob

CLASSIFICATION OF h_FE(1)

Rank

Range

85-170

120-240

170-340

Marking

http://www.lgesemi.com

Revision:20170701-P1

mail:lge@lgesemi.com

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