2SD864

更新时间： 2024-11-01 06:17:07

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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2页	227K
描述
Silicon NPN Darlington Power Transistor

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2SD864 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.56
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

2SD864 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

2SD864

DESCRIPTION

·High DC Current Gain-

: h_FE= 1000(Min)@ I_C= 1.5A

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= 120V(Min)

·Low Collector-Emitter Saturation Voltage-

: V_CE(sat)= 1.5V(Max)@ I_C= 1.5A

·Complement to Type 2SB765

APPLICATIONS

·Medium speed and power switching applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

120

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

I_CM

Collector Power Dissipation

T_C=25℃

P_C

℃

T_j

Junction Temperature

150

-55~150

T_stg

Storage Temperature Range

isc Website：www.iscsemi.cn

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