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2SD863

更新时间: 2024-11-02 14:55:11
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描述
功率三极管

2SD863 数据手册

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2SD863  
NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor  
1. Emitter 2. Collector 3. Base  
TO-92 Plastic Package  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25)  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
Collector Base Voltage  
Collector Emitter Voltage  
Emitter Base Voltage  
Collector Current  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
60  
V
V
60  
5
V
1
A
Peak Collector Current  
Total Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
ICP  
2
A
Ptot  
Tj  
1
W
150  
Tstg  
- 55 to + 150  
Thermal Characteristics  
Parameter  
Symbol  
RθJA  
Max.  
125  
Unit  
Thermal Resistance from Junction Ambient  
℃/W  
®
1 / 5  
Dated: 15/02/2023 Rev: 04  

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