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| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-92 |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.47 |
| 其他特性： | LOW NOISE | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 | JEDEC-95代码： | TO-226 |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.9 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz | VCEsat-Max： | 0.5 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD863D | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92VAR |
|
| 2SD863E | ONSEMI |
获取价格 |
1000mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MP, 3 PIN |
|
| 2SD863F | ONSEMI |
获取价格 |
TRANSISTOR 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MP, 3 PIN, BIP General Purpose |
|
| 2SD863-F | ONSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, MP, 3 PIN |
|
| 2SD864 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Darlington Power Transistor |
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| 2SD864(K) | RENESAS |
获取价格 |
POWER TRANSISTOR, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN |
|
| 2SD864K | ETC |
获取价格 |
|
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| 2SD866 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SD866 | WINNERJOIN |
获取价格 |
TRANSISTOR (NPN) |
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| 2SD866 | PANASONIC |
获取价格 |
2SD866 |
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