5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 2SD2719(TE85L,F)
2SD2719(TE85L,F) PDF预览

2SD2719(TE85L,F)

更新时间： 2024-11-03 19:59:43
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 202K
描述
800mA, 70V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

阅读下载

中文翻译

获取价格

2SD2719(TE85L,F) 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.76
最大集电极电流 (IC)：0.8 A集电极-发射极最大电压：70 V
配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：2000
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e2
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN表面贴装：YES
端子面层：Tin/Silver (Sn/Ag)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SD2719(TE85L,F) 数据手册

 浏览型号2SD2719(TE85L,F)的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SD2719(TE85L,F)的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SD2719(TE85L,F)的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SD2719(TE85L,F)的Datasheet PDF文件第5页 
2SD2719  
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (Darlington Power)  
2SD2719  
○Solenoid Drive Applications  
○Motor Drive Applications  
Unit: mm  
•
•
High DC current gain: h = 2000 (min) (V  
= 2 V, I = 1 A)  
FE  
CE C  
Zener diode included between collector and base  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Collector-base voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
50  
60±10  
8
V
V
V
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
DC  
I
0.8  
C
Collector current  
Base current  
A
A
1. Base  
2. Emitter  
3. Collector  
Pulse  
I
3
CP  
I
0.5  
B
DC  
0.8  
Collector power  
dissipation  
P
(Note)  
W
C
JEDEC  
JEITA  
―
―
t = 10 s  
1.25  
150  
Junction temperature  
T
j
°C  
°C  
TOSHIBA  
2-3S1C  
Storage temperature range  
T
stg  
−55 to 150  
Weight: 0.01 g (typ.)  
Note1: Mounted on an FR4 board (glass-epoxy; 1.6 mm thick; Cu area,  
645 mm2)  
Note2: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even  
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum  
ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report  
and estimated failure rate, etc).  
Equivalent Circuit  
Collector  
Base  
Emitter  
≒300 Ω  
≒5 kΩ  
Start of commercial production  
2006-02  
1
2013-11-01  
12345

中文翻译

下载PDF

与2SD2719(TE85L,F)相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD2720 SANYO

获取价格

 		PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors Compact Motor Driver Applications
2SD2720(TP-FA) ONSEMI

获取价格

 		TRANSISTOR,BJT,NPN,30V V(BR)CEO,3A I(C),TO-252VAR
2SD2721 SANYO

获取价格

 		NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor Driver Applications
2SD2767 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-220AB
2SD2873R SWST

获取价格

 		功率三极管
2SD287A NEC

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2
2SD287AQ NEC

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2
2SD287AR NEC

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2
2SD287B NEC

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2
2SD287BQ NEC

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2

与2SD2719(TE85L,F)相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证