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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.72 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 3 A | 集电极-发射极最大电压： | 20 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 120 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 290 MHz |
| VCEsat-Max： | 1 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD2164TV4/R | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SD2164TV4/RS | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SD2164TV4/S | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SD2164TV6/QR | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SD2164TV6/R | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SD2165 | NEC |
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NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIER |
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| 2SD2165-AZ | NEC |
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Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| 2SD2165-AZ | RENESAS |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| 2SD2165K | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 6A I(C) | TO-220VAR |
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| 2SD2165-K | RENESAS |
获取价格 |
6A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3 |
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