2SD2165-AZ

更新时间： 2024-10-02 13:04:23

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		晶体开关放大器晶体管功率双极晶体管功率放大器局域网
页数	文件大小	规格书
5页	118K
描述
Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, PLASTIC PACKAGE-3

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SD2165-AZ 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.22	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	6 A	集电极-发射极最大电压：	100 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	500
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	110 MHz
Base Number Matches：	1

2SD2165-AZ 数据手册

DATA SHEET

SILICON POWER TRANSISTOR

2SD2165

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING

PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)

The 2SD2165 is a single power transistor developed especially

for high h^FE. This transistor is ideal for simplifying drive circuits and

reducing power dissipation because its h^FEis as high as that of

Darlington transistors, but it is a single transistor.

4.5 0.2

10.0 0.3

3.2 0.2

2.7 0.2

In addition, this transistor features

a small resin-molded

insulation package, thus contributing to high-density mounting and

mounting cost reduction.

FEATURES

• High hFE and low VCE(sat):

h^FE≅ 1,300 TYP. (VCE = 5.0 V, IC = 1.0 A)

V^CE(SAT)≅ 0.3 V TYP. (IC = 3.0 A, IB = 30 mA)

• Mold package that does not require an insulating board or

insulation bushing

2.5 0.1

0.65 0.1

0.7 0.1

1.3 0.2

1.5 0.2

2.54 TYP.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)

Electrode Connection

1. Base

2. Collector

3. Emitter

Parameter

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current (DC)

Symbol

VCBO

VCEO

VEBO

IC(DC)

IC(pulse)

IB(DC)

Ratings

100

Unit

2 3

100

7.0

6.0

Collector current (pulse)

Base current (DC)

10^Note

1.0

Total power dissipation (TC = 25°C)

Total power dissipation (TA = 25°C)

Junction temperature

°C

2.0

150

Storage temperature

Tstg

−55 to +150

Note PW ≤ 300 µs, duty cycle ≤ 10%

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

Document No. D13178EJ3V0DS00 (3rd edition)

The mark shows major revised points.

Date Published March 2004 N CP(K)

Printed in Japan

2002

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与2SD2165-AZ相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD2165K	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 100V V(BR)CEO \| 6A I(C) \| TO-220VAR
2SD2165-K	RENESAS	获取价格	6A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3
2SD2165-K-AZ	NEC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SD2165-K-AZ	RENESAS	获取价格	6A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3
2SD2165L	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 100V V(BR)CEO \| 6A I(C) \| TO-220VAR
2SD2165-L	NEC	获取价格	6A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3
2SD2165-L	RENESAS	获取价格	6A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3
2SD2165-L-AZ	NEC	获取价格	暂无描述
2SD2165-L-AZ	RENESAS	获取价格	6A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3
2SD2165M	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 100V V(BR)CEO \| 6A I(C) \| TO-220VAR

与2SD2165-AZ相关文章

塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
2024-09-29

38
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
2024-09-29

33
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

29
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

40

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SD2165-AZ

2SD2165-AZ 技术参数

2SD2165-AZ 数据手册

与2SD2165-AZ相关器件

与2SD2165-AZ相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SD2165-AZ

2SD2165-AZ 技术参数

2SD2165-AZ 数据手册

与2SD2165-AZ相关器件

与2SD2165-AZ相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？