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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SIP |
| 包装说明： | TO-126FP, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.77 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 5 A | 集电极-发射极最大电压： | 20 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 120 |
| JEDEC-95代码： | TO-126 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz |
| VCEsat-Max： | 1 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD2166/QS | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/ |
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| 2SD2166/R | ROHM |
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5A, 20V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126FP, TO-126FP, 3 PIN |
|
| 2SD2166Q | ROHM |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-126 |
|
| 2SD2166R | ROHM |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-126 |
|
| 2SD2166S | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-126 |
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| 2SD2167 | KEXIN |
获取价格 |
Power Transistor |
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| 2SD2167 | TYSEMI |
获取价格 |
Built-in zener diode between collector and base. Zener diode has low voltage dispersion. |
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| 2SD2167 | ROHM |
获取价格 |
Power Transistor |
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| 2SD2167N | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 31V V(BR)CEO | 2A I(C) | SC-62 |
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| 2SD2167P | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 31V V(BR)CEO | 2A I(C) | SC-62 |
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