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2SD2167T100Q

更新时间： 2024-01-26 19:33:38
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 57K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 31V V(BR)CEO | 2A I(C) | SOT-89

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2SD2167T100Q 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SC-62
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.67
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：2 A集电极-发射极最大电压：27 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小直流电流增益 (hFE)：120
JESD-30 代码：R-PSSO-F3JESD-609代码：e2
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：2 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Copper (Sn/Cu)端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

2SD2167T100Q 数据手册

  
2SD2167  
Transistors  
Power Transistor (31 4V, 2A)  
2SD2167  
!Features  
!External dimensions (Units : mm)  
1) Built-in zener diode between collector and base.  
2) Zener diode has low voltage dispersion.  
3) Strong protection against reverse power surges due  
to low loads.  
4.0  
2.5  
1.0  
0.5  
(
)
1
(
)
2
3
(
)
4) PC=2 W (on 40×40×0.7mm ceramic board)  
(1) Base  
(2) Collector  
(3) Emitter  
ROHM : MPT3  
EIAJ : SC-62  
!Absolute maximum ratings (Ta = 25°C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Symbol  
Limits  
Unit  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
31 4  
31 4  
V
V
V
5
2
A(DC)  
A(Pulse)  
W
Collector current  
IC  
3
∗
∗
1
2
0.5  
2
Collector power dissipation  
PC  
W
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
°C  
°C  
Tstg  
−55 ∼ +150  
∗
∗
1
2
Pw=20ms , duty=1 / 2  
When mounted on a 40 × 40 × 0.7 mm ceramic board.  
!Packaging specifications and hFE  
Type  
2SD2167  
MPT3  
Package  
hFE  
NPQ  
Marking  
Code  
Basic ordering unit (pieces)  
DL  
∗
T100  
1000  
∗Denotes hFE  
!Electrical characteristics (Ta = 25°C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
27  
27  
5
−
−
−
−
−
−
0.25  
−
100  
25  
35  
35  
−
V
V
I
I
I
C
C
E
= 50µA  
= 1mA  
= 50µA  
CB = 20V  
EB = 5V  
V
I
CBO  
−
−
−
−
56  
−
−
1
µA  
µA  
V
V
V
Emitter cutoff current  
I
EBO  
1
∗
∗
1
I
I
C
/I  
/I  
B
= 2A/0.2A  
Collector-emitter saturation voltage  
VCE(sat)  
0.5  
270  
−
V
C
B
= 1A/50mA  
DC current transfer ratio  
Transition frequency  
Output capacitance  
hFE  
−
MHz  
pF  
V
V
V
CE/I  
CE = 3V , I  
CB = 10V , I  
C
= 3V/0.5A  
= −0.5A , f= 30MHz  
= 0A , f = 1MHz  
f
T
E
∗
Cob  
−
E
∗
Measured using pulse current.  
1/1  
1

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