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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.77 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 5 A | 集电极-发射极最大电压： | 20 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 180 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 10 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD2166S | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-126 |
|
| 2SD2167 | KEXIN |
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Power Transistor |
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| 2SD2167 | TYSEMI |
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Built-in zener diode between collector and base. Zener diode has low voltage dispersion. |
|
| 2SD2167 | ROHM |
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Power Transistor |
|
| 2SD2167N | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 31V V(BR)CEO | 2A I(C) | SC-62 |
|
| 2SD2167P | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 31V V(BR)CEO | 2A I(C) | SC-62 |
|
| 2SD2167Q | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 31V V(BR)CEO | 2A I(C) | SC-62 |
|
| 2SD2167T100 | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
|
| 2SD2167T100/NP | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 27V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
|
| 2SD2167T100/NQ | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 27V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
|
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