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2SD2167T100/NQ

更新时间: 2024-02-04 17:26:04
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罗姆 - ROHM 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 117K
描述
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 27V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin,

2SD2167T100/NQ 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:ActiveReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.75
风险等级:5.63外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):2 A集电极-发射极最大电压:27 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):56
JESD-30 代码:R-PSSO-F3JESD-609代码:e2
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:TIN COPPER端子形式:FLAT
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:10
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):100 MHzVCEsat-Max:1 V
Base Number Matches:1

2SD2167T100/NQ 数据手册

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2SD2167T100N ETC TRANSISTOR | BJT | NPN | 31V V(BR)CEO | 2A I(C) | SOT-89

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