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2SD2165-AZ

更新时间： 2024-10-02 20:34:07

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		局域网放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	114K
描述
Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, PLASTIC PACKAGE-3

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2SD2165-AZ 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
零件包装代码：	MP-45F	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.22	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	6 A	集电极-发射极最大电压：	100 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	500
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	30 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	110 MHz	Base Number Matches：	1

2SD2165-AZ 数据手册

DATA SHEET

SILICON POWER TRANSISTOR

2SD2165

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING

PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)

The 2SD2165 is a single power transistor developed especially

for high h^FE. This transistor is ideal for simplifying drive circuits and

reducing power dissipation because its h^FEis as high as that of

Darlington transistors, but it is a single transistor.

In addition, this transistor features

a small resin-molded

insulation package, thus contributing to high-density mounting and

mounting cost reduction.

FEATURES

• High h^FEand low V^CE(sat):

h^FE≅ 1,300 TYP. (V^CE= 5.0 V, I^C= 1.0 A)

V^CE(SAT)≅ 0.3 V TYP. (I^C= 3.0 A, I^B= 30 mA)

• Mold package that does not require an insulating board or

insulation bushing

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

Electrode Connection

1. Base

Parameter

Symbol

V^CBO

Ratings

100

Unit

2. Collector

3. Emitter

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current (DC)

Collector current (pulse)

Base current (DC)

V^CEO

100

V^EBO

7.0

I^C(DC)

6.0

I^C(pulse)

10^Note

I^B(DC)

1.0

P^T(T^C= 25°C)

P^T(T^A= 25°C)

T^j

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

°C

2.0

150

−55 to +150

T^stg

Note PW ≤ 300 µs, duty cycle ≤ 10%

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. D13178EJ2V0DS00 (2nd edition)

Date Published April 2002 N CP(K)

Printed in Japan

2002

1998

12 3 4 5 6

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2SD2165-AZ 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2SD2165	NEC	功能相似	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIER

与2SD2165-AZ相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD2165K	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 100V V(BR)CEO \| 6A I(C) \| TO-220VAR
2SD2165-K	RENESAS	获取价格	6A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3
2SD2165-K-AZ	NEC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SD2165-K-AZ	RENESAS	获取价格	6A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3
2SD2165L	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 100V V(BR)CEO \| 6A I(C) \| TO-220VAR
2SD2165-L	NEC	获取价格	6A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3
2SD2165-L	RENESAS	获取价格	6A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3
2SD2165-L-AZ	NEC	获取价格	暂无描述
2SD2165-L-AZ	RENESAS	获取价格	6A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3
2SD2165M	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 100V V(BR)CEO \| 6A I(C) \| TO-220VAR

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