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2SD2125

更新时间: 2024-11-12 20:11:15
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东芝 - TOSHIBA 局域网放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 40K
描述
TRANSISTOR 6 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power

2SD2125 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.71
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):6 A集电极-发射极最大电压:600 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE):5
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):3 MHz
Base Number Matches:1

2SD2125 数据手册

  

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