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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.71 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 6 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 5 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 3 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD2126 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 2A I(C) | SOT-89 |
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| 2SD2127 | TOSHIBA |
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NPN EPITAXIAL TYPE (SWITCHIN, LAMP, SOLENOID DRIVE APPLICATIONS) |
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| 2SD2128 | ISC |
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Silicon NPN Darlington Power Transistor |
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| 2SD2129 | TOSHIBA |
获取价格 |
NPN TRIPLE DIFFUSE TYPE (HIGH POWER SWITCHING, HAMMER DRIVE, PULSE MOTOR DRIVER APPLICATIO |
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| 2SD2129 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SD2129 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SD2129_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
High-Power Switching Applications |
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| 2SD2130 | TOSHIBA |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL TYPE (MICRO MOTOR DRIVE, HAMMER DRIVE, SWITCHING, POWER AMPLIFIER APPLICATIO |
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| 2SD2131 | TOSHIBA |
获取价格 |
NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (HIGH POWER SWITCHING, HAMMER DRIVE, PULSE MOTOR DRIVE APPLICATIO |
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| 2SD2131_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon NPN Triple Diffused Type (Darlington) |
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