5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 20 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 820 |
| JEDEC-95代码： | TO-92 | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD2133 | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon NPN epitaxial planar type |
|
| 2SD2133Q | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-221VAR |
|
| 2SD2133R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-221VAR |
|
| 2SD2133S | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-221VAR |
|
| 2SD2134 | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon PNP epitaxial planar type |
|
| 2SD2134P | PANASONIC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
|
| 2SD2134Q | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 180V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-221VAR |
|
| 2SD2134R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 180V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-221VAR |
|
| 2SD2134S | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 180V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-221VAR |
|
| 2SD2135 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 60V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-221VAR |
|
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
