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2SD2107

更新时间: 2024-11-17 22:29:03
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日立 - HITACHI /
页数 文件大小 规格书
6页 35K
描述
Silicon NPN Triple Diffused

2SD2107 数据手册

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2SD2107  
Silicon NPN Triple Diffused  
Application  
Low frequency power amplifier  
Outline  
TO-220FM  
1. Base  
2. Collector  
3. Emitter  
1
2
3
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Item  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Rating  
Unit  
V
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Collector current  
70  
60  
V
5
V
4
A
Collector peak current  
Collector power dissipation  
IC(peak)  
8
A
PC  
2
W
PC*1  
Tj  
25  
Junction temperature  
150  
°C  
°C  
Storage temperature  
Tstg  
–55 to +150  
Note: 1. Value at TC = 25°C.  

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