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2SD2111

更新时间： 2024-11-18 07:31:39

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	94K
描述
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

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2SD2111 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

2SD2111 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

2SD2111

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= 120V(Min)

·Collector-Emitter Saturation Voltage-

: V_CE(sat)= 1.5V(Max) @I_C= 1.5A

·High DC Current Gain

: h_FE= 1000(Min) @ I_C= 1.5A, V_CE= 3V

APPLICATIONS

·Designed for low frequency power amplifier applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

120

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

I_CM

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

Collector Power Dissipation

@ T_a=25℃

T_J

Junction Temperature

150

℃

Storage Temperature Range

-55~150

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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