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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SD2114KT146VW
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2SD2114KT146VW

更新时间： 2024-10-01 13:00:47
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体小信号双极晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
4页 112K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,

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2SD2114KT146VW 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.32
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：20 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：820
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN SILVER COPPER端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：350 MHzVCEsat-Max：0.4 V
Base Number Matches：1

2SD2114KT146VW 数据手册

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High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A)  
2SD2114K  
Features  
Dimensions (Unit : mm)  
1) High DC current gain.  
hFE = 1200 (Typ.)  
2) High emitter-base voltage.  
VEBO =12V (Min.)  
2SD2114K  
2.9 0.2  
+0.2  
−0.1  
1.1  
1.9 0.2  
0.8 0.1  
0.95 0.95  
(2)  
(1)  
0∼0.1  
3) Low VCE (sat).  
VCE (sat) = 0.18V (Typ.)  
(IC / IB = 500mA / 20mA)  
(3)  
+0.1  
0.15  
+0.1  
−0.06  
0.4  
−0.05  
All terminals have same dimensions  
(1) Emitter  
(2) Base  
(3) Collector  
ROHM : SMT3  
EIAJ : SC-59  
Abbreviated symbol: BB  
∗
Structure  
Epitaxial planar type  
NPN silicon transistor  
Denotes hFE  
∗
Absolute maximum ratings (Ta=25C)  
Symbol  
Limits  
25  
Unit  
Parameter  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
V
V
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
20  
12  
V
0.5  
1
A(DC)  
A(Pulse)  
I
C
Collector current  
∗
Collector power dissipation  
Junction temperature  
P
C
0.2  
150  
W
°C  
°C  
Tj  
Tstg  
−55 to +150  
Storage temperature  
Single pulse Pw=100ms  
∗
Electrical characteristics (Ta=25C)  
Parameter  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
Symbol Min.  
Typ.  
−
Max.  
−
Unit  
V
Conditions  
BVCBO  
25  
20  
12  
−
I
I
I
C
=10μA  
=1mA  
BVCEO  
BVEBO  
−
−
V
C
−
−
V
E
=10μA  
CB=20V  
EB=10V  
I
CBO  
−
0.5  
0.5  
0.4  
2700  
−
μA  
μA  
V
V
V
Emitter cutoff current  
I
EBO  
−
−
Collector-emitter saturation voltage  
DC current transfer ratio  
Transition frequency  
VCE(sat)  
−
0.18  
−
IC  
/I  
CE=3V, I  
CE=10V, I  
CB=10V, I  
=1mA, Vi=100mV(rms), f=1kHz  
B
=500mA/20mA  
=10mA  
= −50mA, f=100MHz  
=0A, f=1MHz  
h
FE  
820  
−
−
V
V
V
C
350  
8.0  
0.8  
MHz  
pF  
Ω
E
∗
f
T
Output capacitance  
Cob  
−
−
E
Output On-resistance  
Ron  
−
−
IB  
Measured using pulse current  
∗
www.rohm.com  
2012.01 - Rev.C  
1/3  
c
○ 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD2114KT146W ROHM

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 		High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A)
2SD2114KT147/UV ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SD2114KT147/V ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SD2114KT147/VW ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SD2114KT147/W ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SD2114KT246UV ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SD2114KT246V ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SD2114KT246VW ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SD2114KT246W ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SD2114KU ROHM

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 		High-current Gain MediumPower Transistor (20V, 0.5A)

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