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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.43 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 20 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 560 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN SILVER COPPER | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 350 MHz | VCEsat-Max： | 0.4 V |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD2114KT146UV | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| 2SD2114KT146UW | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| 2SD2114KT146V | ROHM |
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High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A) |
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| 2SD2114KT146VW | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| 2SD2114KT146W | ROHM |
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High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A) |
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| 2SD2114KT147/UV | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| 2SD2114KT147/V | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| 2SD2114KT147/VW | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| 2SD2114KT147/W | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| 2SD2114KT246UV | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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