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2SD2115(L)

更新时间： 2024-09-30 23:20:31

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其他 - ETC		晶体晶体管
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TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-251AA

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2SD2115(L) 数据手册

2SD2115(L)/(S)

Silicon NPN Epitaxial Planar

Application

Low frequency power amplifier

Outline

DPAK

1. Base

2. Collector

3. Emitter

4. Collector

S Type

L Type

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Item

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Rating

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

150

Collector peak current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

Note: 1. Value at T_C= 25°C.

I_C(peak)

P_C*¹

2.5

°C

150

Tstg

–55 to +150

12 3 4 5

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2SD2115(S)	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-252AA
2SD2115(S)-(1)	ETC	获取价格	BJT
2SD2115(S)TL	HITACHI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2
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