2SD2115(L)/(S)

更新时间： 2024-01-04 19:18:54

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日立 - HITACHI		放大器功率放大器
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5页	34K
描述
Silicon NPN Epitaxial Planar(Low frequency power amplifier)

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2SD2115(L)/(S) 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.62	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	2 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	150
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	18 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON

2SD2115(L)/(S) 数据手册

2SD2115(L)/(S)

Silicon NPN Epitaxial Planar

Application

Low frequency power amplifier

Outline

DPAK

1. Base

2. Collector

3. Emitter

4. Collector

S Type

L Type

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Item

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Rating

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

150

Collector peak current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

Note: 1. Value at T_C= 25°C.

I_C(peak)

P_C*¹

2.5

°C

150

Tstg

–55 to +150

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD2115(S)	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-252AA
2SD2115(S)-(1)	ETC	获取价格	BJT
2SD2115(S)TL	HITACHI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2
2SD2115(S)TR	RENESAS	获取价格	暂无描述
2SD2115(S)TR	HITACHI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2
2SD2115L	HITACHI	获取价格	Silicon NPN Epitaxial Planar(Low frequency power amplifier)
2SD2115L	RENESAS	获取价格	Silicon NPN Epitaxial Planar
2SD2115S	TYSEMI	获取价格	Low frequency power amplifier.Collector to base voltage VCBO 150 V
2SD2115S	RENESAS	获取价格	Silicon NPN Epitaxial Planar
2SD2115S	KEXIN	获取价格	Silicon NPN Epitaxial