2SD2114KU

更新时间： 2024-10-01 00:00:47

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罗姆 - ROHM		晶体晶体管
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4页	128K
描述
High-current Gain MediumPower Transistor (20V, 0.5A)

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2SD2114KU 技术参数

Transistors

High-current Gain Medium

Power Transistor (20V, 0.5A)

2SD2114K / 2SD2144S

FFeatures

FExternal dimensions (Units: mm)

1) High DC current gain.

h^FE= 1200 (Typ.)

2) High emitter-base voltage.

V^EBO= 12V (Min.)

3) Low V^CE(sat).

V^CE(sat)= 0.18V (Typ.)

(I^C/ IB = 500mA / 20mA)

FStructure

Epitaxial planar type

NPN silicon transistor

(96-232-C107)

232

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD2114KV	ROHM	获取价格	High-current Gain MediumPower Transistor (20V, 0.5A)
2SD2114KW	ROHM	获取价格	High-current Gain MediumPower Transistor (20V, 0.5A)
2SD2115	RENESAS	获取价格	Silicon NPN Epitaxial Planar
2SD2115	HITACHI	获取价格	Silicon NPN Epitaxial Planar(Low frequency power amplifier)
2SD2115(L)	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-251AA
2SD2115(L)-(1)	ETC	获取价格	BJT
2SD2115(L)/(S)	HITACHI	获取价格	Silicon NPN Epitaxial Planar(Low frequency power amplifier)
2SD2115(S)	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-252AA
2SD2115(S)-(1)	ETC	获取价格	BJT
2SD2115(S)TL	HITACHI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2