是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TO-220AB |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | Factory Lead Time: | 1 week |
风险等级: | 5.75 | 外壳连接: | ISOLATED |
最大集电极电流 (IC): | 6 A | 集电极-发射极最大电压: | 120 V |
配置: | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE): | 1000 |
JEDEC-95代码: | TO-220AB | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e2 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | NPN | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子面层: | TIN COPPER |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | AMPLIFIER |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SD2107 | RENESAS |
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Silicon NPN Triple Diffused | |
2SD2107 | ISC |
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isc Silicon NPN Power Transistor | |
2SD2107 | HITACHI |
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Silicon NPN Triple Diffused | |
2SD2107B | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-220FN | |
2SD2107C | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-220FN | |
2SD2108 | ISC |
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Silicon NPN Darlington Power Transistor | |
2SD2108 | HITACHI |
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SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER | |
2SD2109 | ETC |
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2SD211 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors | |
2SD211 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors |