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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220FP |
| 包装说明： | TO-220FP, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.84 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 3 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 600 | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 30 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 50 MHz |
| VCEsat-Max： | 1 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1944Y2/JK | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti |
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| 2SD1946 | ETC |
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| 2SD1946DS | HITACHI |
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1000 mA, 10 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SD1946DSTL | HITACHI |
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1000mA, 10V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SD1946DSTR | HITACHI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 10V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SD1946DSUL | HITACHI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 10V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SD1947 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 10 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
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| 2SD1947A | TOSHIBA |
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NPN EPITAXIAL TYPE (HIGH CURRENT SWITCHING, LAMP, SOLENOID DRIVE APPLICATIONS) |
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| 2SD1947A_06 | TOSHIBA |
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High-Current Switching Applications |
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| 2SD1948 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 5 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
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