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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.25 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 82 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.2 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1949T106 | ROHM |
类似代替  |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1949_1 | ROHM |
获取价格 |
Medium Power Transistor (50V,0.5A) |
|
| 2SD1949_11 | ROHM |
获取价格 |
Medium Power Transistor (50V,0.5A) |
|
| 2SD1949FRAT106 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, |
|
| 2SD1949FRAT106Q | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor |
|
| 2SD1949FRAT106R | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, |
|
| 2SD1949P | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
|
| 2SD1949Q | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SOT-23VAR |
|
| 2SD1949R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SOT-23VAR |
|
| 2SD1949T106 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
|
| 2SD1949T106/P | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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