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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.27 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 82 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN SILVER COPPER | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1949T107Q | ROHM |
获取价格 |
500mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SD1949T107R | ROHM |
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500mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SD1950 | NEC |
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NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD |
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| 2SD1950 | KEXIN |
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NPN Silicon Epitaxia |
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| 2SD1950 | TYSEMI |
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High dc current gain and good hFE. Low collector saturation voltage. High VEBO. |
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| 2SD1950-AY | RENESAS |
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TRANSISTOR,BJT,NPN,25V V(BR)CEO,2A I(C),SOT-89 |
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| 2SD1950-AZ | NEC |
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暂无描述 |
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| 2SD1950-T1 | RENESAS |
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Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, POWER, MI |
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| 2SD1950-T1-AZ | RENESAS |
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NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD |
|
| 2SD1950-T1VL | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, POWER, PL |
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