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2SD1950-T1VL

更新时间: 2024-11-18 15:30:39
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 107K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, POWER, PLASTIC, SC-62, 3 PIN

2SD1950-T1VL 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.67
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):2 A
基于收集器的最大容量:35 pF集电极-发射极最大电压:25 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):1200
JESD-30 代码:R-PSSO-F3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:2 W认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:SINGLE晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):350 MHz
VCEsat-Max:0.3 VBase Number Matches:1

2SD1950-T1VL 数据手册

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