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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 3 A | 集电极-发射极最大电压： | 16 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 200 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 2 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 140 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.3 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1952-T1XR | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 16V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, POWER, PL |
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| 2SD1953 | SANYO |
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Driver Applications |
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| 2SD1953-LS | ONSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plast |
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| 2SD1956 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-220 |
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| 2SD1956/E | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| 2SD1956/EF | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| 2SD1956/EG | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| 2SD1956C7 | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| 2SD1956C7/E | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
|
| 2SD1956C7/EF | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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