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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 3 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 16 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 135 | JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 140 MHz | VCEsat-Max： | 0.3 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1953 | SANYO |
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Driver Applications |
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| 2SD1953-LS | ONSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plast |
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| 2SD1956 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-220 |
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| 2SD1956/E | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| 2SD1956/EF | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| 2SD1956/EG | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| 2SD1956C7 | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| 2SD1956C7/E | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| 2SD1956C7/EF | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| 2SD1956C7/FG | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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