5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.67 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 2 A |
| 基于收集器的最大容量： | 35 pF | 集电极-发射极最大电压： | 25 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 2000 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 2 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 350 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.3 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1950VK | ETC |
获取价格 |
BJT |
|
| 2SD1950VK-AY | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,NPN,25V V(BR)CEO,2A I(C),SOT-89 |
|
| 2SD1950VK-AZ | NEC |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 2SD1950VK-T1 | RENESAS |
获取价格 |
2000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, POWER, MINIMOLD, SC-62, 3 PIN |
|
| 2SD1950VK-T1-AZ | RENESAS |
获取价格 |
2000mA, 25V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, POWER, MINIMOLD, SC-62, 3 PIN |
|
| 2SD1950VK-T2 | RENESAS |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, POWER, MI |
|
| 2SD1950VK-T2-AZ | RENESAS |
获取价格 |
2000mA, 25V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, POWER, MINIMOLD, SC-62, 3 PIN |
|
| 2SD1950VL | ETC |
获取价格 |
BJT |
|
| 2SD1950VL-AY | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,NPN,25V V(BR)CEO,2A I(C),SOT-89 |
|
| 2SD1950VL-T1 | RENESAS |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, POWER, MI |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
