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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SC-62 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.29 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 2 A | 集电极-发射极最大电压： | 25 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 1200 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 350 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1950VM | ETC |
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BJT |
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| 2SD1950VM-AY | RENESAS |
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TRANSISTOR,BJT,NPN,25V V(BR)CEO,2A I(C),SOT-89 |
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| 2SD1950VM-AZ | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, POWER, MI |
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| 2SD1950VM-T1 | RENESAS |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, POWER, MI |
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| 2SD1950VM-T1-AZ | RENESAS |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, POWER, MI |
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| 2SD1950VM-T2 | RENESAS |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, POWER, MI |
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| 2SD1950VM-T2-AY | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,NPN,25V V(BR)CEO,2A I(C),SOT-89 |
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| 2SD1950VM-T2-AZ | RENESAS |
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Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, POWER, MI |
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| 2SD1952 | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 16V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, POWER, PL |
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| 2SD1952-T1 | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 16V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, POWER, PL |
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