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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SC-62 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.31 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 2 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 25 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 400 | JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 350 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1950-AY | RENESAS |
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TRANSISTOR,BJT,NPN,25V V(BR)CEO,2A I(C),SOT-89 |
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| 2SD1950-AZ | NEC |
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暂无描述 |
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| 2SD1950-T1 | RENESAS |
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Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, POWER, MI |
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| 2SD1950-T1-AZ | RENESAS |
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NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD |
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| 2SD1950-T1VL | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, POWER, PL |
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| 2SD1950-T2 | NEC |
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2000mA, 25V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, POWER, PLASTIC, SC-62, 3 PIN |
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| 2SD1950-T2VK | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, POWER, PL |
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| 2SD1950VK | ETC |
获取价格 |
BJT |
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| 2SD1950VK-AY | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,NPN,25V V(BR)CEO,2A I(C),SOT-89 |
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| 2SD1950VK-AZ | NEC |
获取价格 |
暂无描述 |
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