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2SD1949FRAT106R

更新时间： 2024-11-20 15:28:03

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罗姆 - ROHM		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
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Small Signal Bipolar Transistor,

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2SD1949FRAT106R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.64
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	180
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
参考标准：	AEC-Q101	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	250 MHz	Base Number Matches：	1

2SD1949FRAT106R 数据手册

Data Sheet

AEC-Q101 Qualified

Medium Power Transistor (50V,0.5A)

2SD1949FRA / 2SD1484KFRA

2SD1949/2SD1484K

Features

Dimensions (Unit : mm)

1) High current.(I^C=0.5A)

2) Low saturation voltage, typically V^CE(sat)=0.1V at IC / IB=150mA / 15mA.

UMT3

(SC-70)

<SOT-323>

(1) Emitter

(2) Bace

(3) Collector

Absolute maximum rationgs (Ta=25 C)

SMT3

(SC-59)

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Limits

Unit

<SOT-346>

2.9

1.1

0.8

0.4

(

)

0.5

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

0.2

(

)

( )

150

0.95 0.95

1.9

0.15

Tstg

−55 to +150

(1) Emitter

(2) Bace

(3) Collector

Electrical characteristics (Ta=25 C)

Parameter

Symbol

Min.

Typ.

−

250

Max.

−

Unit

Conditions

BV_CBO

BV_CEO

BV_EBO

I_CBO

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector outoff current

I_C

100µA

1mA

I_C

I_E

100µA

−

0.5

390

0.4

−

V_CB

30V

µA

−

I_EBO

Emitter cutoff current

V_EB

h_FE

DC current rransfer ratio

120

_CE/I_C

I_C/I_B150mA/15mA

5V , I_E−20mA , f

10V , I_E0A , f 1MHz

3V/10mA

V_CE(sat)

f_T

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

−

MHz V_CE

pF V_CB

=100MHz

Output capacitance

Cob

6.5

−

Packaging specifications and h_FE

Type

Package

h_FE

2SD1949

2SD1484K

2SD1949FRA

2SD1484KFRA

SMT3

UMT3

Marking

Code

T106

3000

T146

3000

Basic ordering unit (pleces)

Danotes hFE

h^FEvalues are classified as follows :

Item

h^FE

120 to 270 180 to 390

www.rohm.com

2011.06 - Rev. E

1/2

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD1949P	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SD1949Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 50V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| SOT-23VAR
2SD1949R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 50V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| SOT-23VAR
2SD1949T106	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SD1949T106/P	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SD1949T106/PQ	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SD1949T106/QR	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SD1949T106Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 50V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| SOT-23VAR
2SD1949T106R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 50V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| SOT-23VAR
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