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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.36 | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 10 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 400 | JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SD1946DSTL | HITACHI | 1000mA, 10V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SD1946DSTR | HITACHI | Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 10V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SD1946DSUL | HITACHI | Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 10V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SD1947 | TOSHIBA | TRANSISTOR 10 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
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| 2SD1947A | TOSHIBA | NPN EPITAXIAL TYPE (HIGH CURRENT SWITCHING, LAMP, SOLENOID DRIVE APPLICATIONS) |
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| 2SD1947A_06 | TOSHIBA | High-Current Switching Applications |
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