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| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-220MF |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.24 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 8 A | 集电极-发射极最大电压： | 30 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 140 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 30 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 120 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SD1904 | SANYO | High-Current Switching Applications |
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| 2SD1904Q | ONSEMI | TRANSISTOR,BJT,NPN,50V V(BR)CEO,5A I(C),TO-220 |
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| 2SD1904R | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-220 |
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| 2SD1904S | ONSEMI | TRANSISTOR,BJT,NPN,50V V(BR)CEO,5A I(C),TO-220 |
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| 2SD1905 | SANYO | High-Current Switching Applications |
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| 2SD1905Q | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-221VAR |
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