2SD1890

更新时间： 2024-10-28 06:24:31

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松下 - PANASONIC		晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
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3页	58K
描述
Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington

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2SD1890 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	2000	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	20 MHz	Base Number Matches：	1

2SD1890 数据手册

Power Transistors

2SD1890

Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington

For power amplification

Unit: mm

10.0±0.2

5.5±0.2

4.2±0.2

Complementary to 2SB1250

2.7±0.2

Features

Optimum for 25W HiFi output

■

φ3.1±0.1

●

High foward current transfer ratio h_FE: 5000 to 30000

●

Low collector to emitter saturation voltage V_CE(sat): <2.5V

●

Full-pack package which can be installed to the heat sink with

one screw

1.3±0.2

1.4±0.1

+0.2

–0.1

0.5

0.8±0.1

Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)

■

2.54±0.25

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CP

Ratings

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

100

5.08±0.5

1:Base

2:Collector

3:Emitter

TO–220 Full Pack Package(a)

I_C

Internal Connection

Collector power T_C=25°C

P_C

dissipation

Ta=25°C

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

˚C

T_stg

–55 to +150

Electrical Characteristics (T =25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

min

typ

max

100

Unit

µA

V_CB= 100V, I_E= 0

Collector cutoff current

I_CEO

I_EBO

V_CEO

h_FE1

V_CE= 80V, I_B= 0

V_EB= 5V, I_C= 0

Emitter cutoff current

Collector to emitter voltage

_C= 30mA, I_B= 0

V_CE= 5V, I_C= 1A

2000

5000

Forward current transfer ratio

h_FE2

V_CE= 5V, I_C= 2A

30000

2.5

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

Base to emitter saturation voltage V_BE(sat)

I_C= 2A, I_B= 2mA

3.0

Transition frequency

Turn-on time

Storage time

Fall time

f_T

t_on

t_stg

t_f

V_CE= 10V, I_C= 0.5A, f = 1MHz

3.5

2.5

0.6

MHz

µs

I_C= 2A, I_B1= 2mA, I_B2= –2mA,

V_CC= 50V

µs

^*h_FE2Rank classification

Rank

h_FE2

5000 to 15000 8000 to 30000

12 3

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与2SD1890相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD1890P	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| SOT-186
2SD1890Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| SOT-186
2SD1891	ETC	获取价格
2SD1891P	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 90V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| SOT-186
2SD1891Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 90V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| SOT-186
2SD1892	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington(For power amplification)
2SD1892	SAVANTIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SD1892	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SD1892P	PANASONIC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SD1892Q	PANASONIC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,

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